电流脉冲碳化硅

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  • SiC 功率金属半导体场效应管的陷阱效应模型 物理学报

    2003年2月11日 大计算量. 关键词：碳化硅,陷阱效应,金属)半导体场效应晶体管,深能级陷阱,界面态 栅和漏电流的开态响应滞后,使频率特性造成偏差,. 在稳态上表现为跨导及漏 度及状态的描述会存在较大的偏差,一般采用脉冲. 测试方法从 

  • SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源 电子

    2015年6月12日 目前市面上常见的SiC Mosfet电流均不大于50A,以常见的1200V/20A为例, 充电和放电,此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。

  • 高压SiC BJT在脉冲功率领域的快速驱动电路研究《湖南大学》2016年

    【摘要】：本文主要研究应用于脉冲功率系统中的双极型碳化硅半导体器件SiC BJT的快速驱动电路,文中脉冲功率研究的是在SiC BJT基极追求极高的电流上升 

  • 4HSiC pn 结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究 物理学报

    特基二极管进行测试,采用脉冲电子束感应电流法. （P*EBIC）直接得到碰撞离化倍增系数,排除了缺陷. 和边缘效应对测量结果的影响［3］ . 这些实验结果为. 碳化硅 

  • 张东明 欢迎访问武汉理工大学材料复合新技术国家实验室

    2014年1月8日 从事过铝合金超塑性、弥散增强铂合金、非晶储氢合金、6.5wt%硅钢片制备新技术、脉冲电流烧结技术、SiC/Al复合材料制备技术、金属基燃料电池双 

  • 碳化硅浪涌试验台,动态系列产品,陕西开尔文测控技术有限公司,IGBT

    本测试台主要针对碳化硅器件特性专门设计,可对被测器件进行浪涌电流试验； 脉冲宽度8.3ms,浪涌电流可加到50A； 脉冲宽度10us,浪涌电流可加到200A；保证 

  • 寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响 南京航空航天大学学报

    首先,基于电流回路的概念,将各部分寄生电感归为以下3类：主开关回路寄生电感LD,栅极 考虑寄生电感的SiC MOSFET双脉冲测试电路原理图如图1所示,Q为SiC 

  • 适应于SiC BJT 的双电源驱动电路优化设计 中国科技论文在线

    2018年1月2日 摘要：对碳化硅双极型晶体管（silicon carbide bipolar junction . 其中,IB(m)为理想情况下的电流脉冲峰值；ton 为晶体管的导通时间；QB 为基极 

  • 【产品】1200V/80mΩ碳化硅MOSFET裸芯片,可抑制雪崩击穿世强

    2018年1月5日 CPMB工作温度范围为55℃~175℃,其连续漏极电流可达36A,脉冲漏极电流达80A。相较于其他同类产品,CPMB具有 

  • SiC Power Devices

    SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料, 不仅绝缘击穿场强是Si . 而且MOSFET 原理上不产生尾电流,所以用SiCMOSFET 替代IGBT 时,能够明 . 分别搭成半桥电路,通过感性负载双脉冲测试对开关波形进行比较。 400V.

  • 1 200 V 碳化硅MOSFET 与硅IGBT 器件特性对比性研究

    2016年7月4日 和Si IGBT 的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究,分析了SiC 关键词:碳化硅 输出特性 漏电流 双脉冲测试 Buck 电路.

  • 氮化镓功率器件驱动特性的研究Research on Driving Characteristics

    与传统的硅功率器件相比,宽禁带功率半导体的性能要出色得多,碳化硅和氮化镓是 . 在t3时刻,窄脉冲到来,电路中电流已达到一定值,所以可以有效测试氮化镓 

  • AZ91D镁合金表面NiSiC复合镀层的制备及其性能研究 万方数据

    2016年1月29日 <br> 以脉冲电流的占空比为单因素变量,探究了脉冲电流占空比对镁合金表面脉冲电沉积NiSiC复合镀层的微观形貌、成分及性能的影响,研究表明, 

  • 高压SiC BJT在脉冲功率领域的快速驱动电路研究《湖南大学》2016年

    【摘要】：本文主要研究应用于脉冲功率系统中的双极型碳化硅半导体器件SiC BJT的快速驱动电路,文中脉冲功率研究的是在SiC BJT基极追求极高的电流上升 

  • 是德科技B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪 Keysight

    碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN) 等全新宽带隙材料能够支持大电压和高切换速度,在新兴 . 50 μs 超大电流快速. 脉冲测量. ▷. 轻松且精确的(μΩ 分. 辨率) 导通电阻测量.

  • 3 驱动电路详细设计 电测与仪表

    并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定门极电阻参数。 碳化硅（Silicon Carbride, SiC）是一种具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速度和高热 . UDS保持截止时的高电平不变,电压与电流产生重叠区域,MOSFET功耗。

  • 1 200 V 碳化硅MOSFET 与硅IGBT 器件特性对比性研究

    2016年7月4日 和Si IGBT 的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究,分析了SiC 关键词:碳化硅 输出特性 漏电流 双脉冲测试 Buck 电路.

  • 电沉积Ni－SiC纳米复合镀层的显微组织分析 Ingenta Connect

    摘要：采用超声波辅助脉冲电沉积复合镀技术在铜基表面制备Ｎｉ－ＳｉＣ纳米复合镀层 使用单脉冲电流,脉冲 Ｄ４０－ＺＦ电动搅拌调速器分散纳米碳化硅粉；施镀前要.

  • 三菱电机半导体·器件：各应用行业的功率模块产品 碳化硅(SiC)应用设备

    三菱电机的碳化硅功率器件的研发与搭载该器件的产品 有着优异特性的碳化硅 碳化硅的带隙约为单质硅的三倍,即使在高温时漏电流的增加也很少,可以确保高温 

  • SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源_MORNSUN电源模块_模块电源_

    2015年6月10日 目前市面上常见的SiC Mosfet电流均不大于50A,以常见的1200V/20A为例, 充电和放电,此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。

  • SiC Power Devices

    SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料, 不仅绝缘击穿场强是Si . 而且MOSFET 原理上不产生尾电流,所以用SiCMOSFET 替代IGBT 时,能够明 . 分别搭成半桥电路,通过感性负载双脉冲测试对开关波形进行比较。 400V.

  • 碳化硅MOSFET器件的特性优势与发展瓶颈!电子发烧友网

    2017年12月13日 碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域,受到大家的喜爱,不断地 通常采用MOSFET饱和的短路电流,使用单脉冲持续的时间来评估 

  • 寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响 南京航空航天大学学报

    首先,基于电流回路的概念,将各部分寄生电感归为以下3类：主开关回路寄生电感LD,栅极 考虑寄生电感的SiC MOSFET双脉冲测试电路原理图如图1所示,Q为SiC 

  • SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源 电子

    2015年6月12日 目前市面上常见的SiC Mosfet电流均不大于50A,以常见的1200V/20A为例, 充电和放电,此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。

  • 对SiC 高压MOSFET 的关键看法 化合物半导体

    它们可以实现增加工作效率和更高的电流密度、. 频率和温度。 . 区别的是高温下的低漏电流,因为这允许SiC 器 来限制脉冲持续时间——而这会导致更高的热应.

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    经典案例

    • 250TPH河卵石机制砂生产线

      由于当地天然砂石供应不足，该杭州客户针对市场上对高品质机制砂的需求，看准当地河卵石储量丰富在的巨大商机