碳化硅工艺

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  • 碳化硅_百度百科

    碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料。例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或 

  • 碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷烧结工艺_粉体技术_粉体圈

    碳化硅陶瓷材料具有高温强度大、高温抗氧化性强、耐磨损性能好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,在汽车、机械 

  • 成型温度对多孔SiC 陶瓷性能的影响 IngentaConnect

    化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷 研究了成型温度对样品的孔隙率、密度、热膨胀 在80 成型的多孔碳化硅陶瓷综合性能较佳, 过低的成型温度使包覆在核壳结构 

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    研究领域. 碳化硅器件工艺制造及其可靠性测试分析 2 ) 高压碳化硅器件高温氧化工艺技术研究, 主持, 院级, ( 3 ) 碳化硅高能高温离子注入关键 

  • SiC 质耐火材料的碳化氮化制备及性能 IngentaConnect

    有学者采用埋碳烧成方法合成了氮化物和碳化. 物[4–7],但其所报道的埋碳烧成方法均是用来合成氮. 化物或碳化物原料。本研究采用该工艺直接制备. SiC 质耐火材料 

  • 新型反射镜材料碳化硅 宇航材料工艺

    文摘对几种常用反射镜材料的物理性能和工艺性能进行了比较,研究了碳化硅轻质 工艺,结果认为:反应烧结是实现这种材料作为反射镜材料的巨大潜力的有效的 

  • 功率器件工艺材料双雄并起:SiC和GaN基础器件与非网

    碳化硅的结构特性及优缺点. 碳化硅(SiC)俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化 

  • SiC 颗粒化学镀铜工艺研究 中国材料进展

    结果表明: 取消了活化工艺后, 在碳化硅表面仍然得到了较好的铜包覆层。 关键词: 碳化硅 化学镀铜 活化工艺. 中图分类号: TB333摇摇文献标识码: A摇摇文章编号: 

  • 研究人员发现低成本生产SiC的工艺 电子工程专辑

    2017年9月28日 为了降低SiC的制造成本,美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺,并搭配TI XFab实现低成本的SiC功率MOSFET 碳化 

  • SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌

    完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制;. ▷ 全生产流程可控, 

  • 碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷烧结工艺_粉体技术_粉体圈

    碳化硅陶瓷材料具有高温强度大、高温抗氧化性强、耐磨损性能好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,在汽车、机械 

  • 时代电气6英寸碳化硅(SiC)产业化基地技术调试圆满完成_首页_手机端

    2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件 

  • 碳化硅晶体产业化项目启动 量产后可在多领域摆脱进口依赖能源

    2017年5月24日 碳化硅衬底片是典型的技术密集型和资金密集型产业,高良品率、高稳定性的长晶工艺技术是其核心。"中国兵器工业集团科学家魏化震表示, 

  • 中车时代电气6英寸碳化硅(SiC)生产线首批芯片试制成功_首页_株洲

    2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅(SiC)生产线是国内首条6英寸SiC 实现SiC 二极管和MOSFET芯片工艺流程整合,成功试制1200V SiC肖特基 

  • 籽晶处理工艺对物理气相传输法生长SiC 单晶的影响 硅酸盐学报

    2010年8月8日 摘要:将块体SiC 单晶中切割下的晶片经研磨、抛光和腐蚀不同工艺处理后作为籽晶,用物理 关键词:碳化硅单晶;晶体生长;物理气相传输法;籽晶.

  • β/α复合碳化硅技术陶瓷的制备工艺与性能研究《西安科技大学》2015

    【摘要】:碳化硅陶瓷具有硬度高、耐高温、耐腐蚀、抗氧化性能强、抗热震性佳、热稳定性强、热膨胀系数低以及导热系数高等优点,一直是材料学研究热点之一。本文在前 

  • 碳化硅SiC陶瓷的烧结工艺简述 佳日丰泰

    碳化硅陶瓷材料具有高温强度大,高温抗氧化性强,耐磨损性能好,热稳定性,热彭胀系数小,热导率大,硬度高,抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。在汽车、机械化工、 

  • SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌

    完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制;. ▷ 全生产流程可控, 

  • SiC机械密封环表面微织构激光加工工艺 江苏大学

    对碳化硅机械密封试样端面进行激光表面微织构的加工工艺试验研究, 和扫描速度等激光加工工艺参数对微凹腔和微凹槽织构的几何形貌参数与加工质量的影响,结.

  • 微电子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展中国科学院微

    2015年4月27日 碳化硅电力电子器件研究团队基于微电子所4英寸硅工艺平台,对SiC MOS界面态来源与调控机理等开展了深入研究,开发了SiC栅氧化和氮化的栅 

  • 碳化硅 STMicroelectronics 意法半导体

    Silicon Carbide. Silicon Carbide (SiC) is a wide bandgap material. Wide bandgap technologies have many advantages compared to Silicon. Operating 

  • 深入探讨碳化硅工艺:半导体材料的新一代继承者世强元件电商

    2016年3月9日 碳化硅SiC材料的性能、SiC器件展现出的优良特性以及功率半导体器件的需求持续增长,激励着人们对其工艺与器件开发上孜孜不倦的追求。

  • sic[碳化硅]_互动百科

    碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的 

  • 碳化硅罐梭式窑生产工艺黄冈市中基窑炉有限公司

    您的位置: 首页 > 碳化硅罐梭式窑生产工艺. 产品. 粉末冶金类 · 炼钢海绵铁类 · 钒钛磁铁矿海绵铁类 · 红土镍矿海绵铁隧道窑 · 碳化硅罐梭式窑生产工艺 · 直接还原 

  • 黑碳化硅微粉生产工艺流程淄博金晶川新材料科技有限公司

    2018年1月30日 黑碳化硅微粉经过多个工艺流程炼制成不同粒度,满足不同工业需求,严格的原材料选配以及严格的生产工艺是质量的关键。一、原料.

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