sic外延调研报告

SiC碳化硅衬底:25万片6寸+5万片8寸碳化硅衬底项目启动,第三成长曲线打开 1)事件:30万片SiC项目签约上虞。11月4日,公司举行"年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底本文调研和分析全球电动汽车用6英寸SiC晶圆发展现状及未来趋势,核心内容如下: (1)全球市场总体规模,分别按销量和按收入进行了统计分析,历史数据年,预市场SiCCVD外延炉主要厂商基本情况介绍,包括公司简介、SiCCVD外延炉产品规格型号、销量、价格、收入及公司动态等第10章:中国市场SiCCVD外延炉进出口情况分析第11章:

lSiC外延:国外设备商主导,未来23年有望快速实现国产替代。SiC外延需严格控制缺陷,工艺难度大,我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅外延炉新增市场空间约130/53亿元,目前以意大利LPE(1、详情内容参考完整版研究报告,QYResearch专注为企业提供细分数据分析报告目录全球与中国SiC和GaN外延生长设备市场现状及未来发展趋势(2022版本)行业研究分析上海某某科技网络有限全球及中国4英寸SiC外延片行业"十四五"规划及发展战略建议报告年 2022年全球4英寸SiC外延片市场销售额达到了 亿美元,预计2029年将达到 亿美元,年复

2、中国碳化硅(SiC)功率器件标准解读 1.4 本报告研究范围界定说明 1.5 本报告数据来源及统计标准说明 1.5.1 本报告权威数据来源 1.5.2 本报告研究方法及统计标准说明 第2章全球法国行业研究公司Yole报告数据显示:2021年,用于功率器件的SiC衬底市场规模将超过3亿美元,外延的市场规模有望突破1亿美元。 功率器件(包括SiC二极管、晶体报告预测2028年,全球SiC、GaN外延生长设备市场规模将会达到84.15亿元,预测期间内将达到5.93%的年均复合增长率。 SiC、GaN外延生长设备行业调研报告研究全

外延设备被行业四大龙头企业 Axitron、 LPE、TEL 和 Nuflare 所垄断,中国 SiC 外延技术发展起步较晚,难以进入技术壁 垒较高的外延设备领域,故以外延晶片生产为主要切入方向。目前,碳化硅外延 晶片1：本报告核心数据更新2022年12月,以中国大陆地区数据为主,少量涉及全球及相关地区数据；预测区间涵盖年,数据内容涉及碳化硅行业产值、区域分布、市场规模、市场结构等。2：除一手公司产品主要包括 SiC 材料、功率器件和射频器件。公司 FY2021 收入 5.26 亿 美元:碳化硅材料收入 2.39 亿美元,占比 45%碳化硅器件收入 2.87 亿美元, 占比 55%。 材料方面,包括碳

根据QYResearch研究团队调研统计,2022年全球SiC外延炉市场销售额达到了 亿元,预计2029年将达到 亿元,年复合增长率(CAGR)为 %()。中国市场在过去几年碳化硅的产业链上游为衬底材料、中游外延材料、下游为射频器件和功率器件,以及终端应用领域 新能源汽车、光伏、5G通信等领域。 1.上游分析:SiC衬底 从市占率角度来看,2020年全球SiC据介绍,姑苏实验室"第三代半导体碳化硅外延设备"项目由姑苏实验室与芯三代半导体科技(苏州)有限公司携手承担,于2020年底立项,项目总投资1.128亿元。 SiC上车成为趋势,不少企业加

SiC外延调研报告,碳化硅的产业链分为 SiC 单晶、SiC 外延片、SiC 器件、SiC 封测。碳化硅的应用市场在中国,我国占据了全球近一半的使用量。但目前来看,我国的碳化硅产业还很不完善,国内从事碳化根据QYResearch研究团队调研统计,2022年全球SiCCVD外延炉市场销售额达到了 亿元,预计2029年将达到 亿元,年复合增长率(CAGR)为 %()。中国市场在过去内容摘要 报告目录 报告图表 据GIR (Global Info Research)调研,按收入计,2022年全球SiC外延炉收入大约 百万美元,预计2029年达到 百万美元,20232029期间,年复合增长率CAGR

3）外延设备由国外设备商主导,未来23年有望快速实现国产替代。意大利LPE、德国爱思强、日本的Nuflare占比达80%+,设备核心壁垒在于气体流量的控制,国内晶盛机电、北方华创等均在3、SiC外延:国外设备商主导,未来23年有望快速实现国产替代 以下为报告内容节选: 关于市场分析报告 无论你从事什么行业,都要做同行业分析,产品分析,市场调研,其目的是为了摸清市场,其中, SiC、GaN 电力电子产值规模达 44.7 亿元,同比增长 54%,衬底材料约 2.2 亿元,外延 及芯片约 5 亿元,器件及模组约 7.2 亿元,装臵约 30 亿元,与前几年相比

智研瞻产业研究院发布的《年中国化合物半导体器件行业市场深度调研分析报告》详细分析了化合物半导体器件定义及特点、全球化合物半导体器件行业发展环境及运行现状、中国化能讯半导体率先在国内开展了GaN材料与器件的研发与产业化,公司拥有先进的GaNonSi以及GaNonSiC外延工艺,可以满足微波功率器件及电力电子器件的应用需求。在制造方面,公司有用亚由于衬底具有一定缺陷,不适合在其上直接制造半导体器件,所 以衬底上一般会沉积一层高质量的外延材料。导电型 SiC 衬底上一般再外延一层 SiC,然后用于制作功率器件,而半绝缘型 SiC

当然,SiC 和 GaN 在应用端各具优 势的同时,亦能有效合作:在微波射频领域,通过在半绝缘 SiC 衬底上外延生长氮化镓, 可以制备 SiC 基 GaNHEMT。这是现今制造 5G 基站功率放大器重本报告对目前主要的同质SiC外延层的形貌缺陷研究进行了介绍,并报道了团队关于SiC厚膜外延层中两种新型形貌缺陷的表征研究,不仅丰富了SiC外延层形貌缺陷的样本,而且扩展了人们对【报告格式】 : 【文本+电子版+光盘】 【服务内容】 : 【提供数据增值+更新服务】 目录 调研显示,2023年全球SiCCVD外延炉市场规模大约为 亿元(人民币),预计2031年将达

目前所有的碳化硅器件基本上都是在外延上实现的,外延环节是产业链的中间环节,首先,器件的设计对外延的质量性能要求高影响非常大,同时外延的质量也受到晶体和衬底加工的影响,所以SICSiC材料及芯片制备主要工艺为单晶生长、衬底切磨抛、外延生长、掩膜沉积、图形化、刻蚀、注入、热处理、金属互连等工艺流程共涉及几十种关键半导体装备。由于SiC材料具备高硬度、高碳化硅外延工艺是提高碳化硅器件性能及可靠性的关键。碳化硅外延是指在衬 底的上表面生长一层与衬底同质的单晶材料 4HSiC。目前标准化工艺是使用 4° 斜切的 4HSiC 单晶衬底,采