碳化硅工艺

  • 中车时代电气6英寸碳化硅(SiC)生产线首批芯片试制成功_首页_株洲

    2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅(SiC)生产线是国内首条6英寸SiC 实现SiC 二极管和MOSFET芯片工艺流程整合,成功试制1200V SiC肖特基 

  • CNB 一种碳化硅晶体退火工艺 Google Patents

    CNA * 中国电子科技集团公司研究所 降低碳化硅晶体杂质并获得高纯半绝缘碳化硅晶体的方法. Family To Family Citations.

  • 碳化硅晶体产业化项目启动量产后可在多领域摆脱进口依赖_经济频道

    2017年5月24日 碳化硅衬底片是典型的技术密集型和资金密集型产业,高良品率、高稳定性的长晶工艺技术是其核心。"中国兵器工业集团科学家魏化震表示, 

  • 碳化硅 STMicroelectronics 意法半导体

    Silicon Carbide. Silicon Carbide (SiC) is a wide bandgap material. Wide bandgap technologies have many advantages compared to Silicon. Operating 

  • 新型反射镜材料碳化硅 宇航材料工艺

    文摘对几种常用反射镜材料的物理性能和工艺性能进行了比较,研究了碳化硅轻质 工艺,结果认为:反应烧结是实现这种材料作为反射镜材料的巨大潜力的有效的 

  • 时代电气6英寸碳化硅(SiC)产业化基地技术调试圆满完成_首页_手机端

    2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件 

  • 研究人员发现低成本生产SiC的工艺 电子工程专辑

    2017年9月28日 为了降低SiC的制造成本,美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺,并搭配TI XFab实现低成本的SiC功率MOSFET 碳化 

  • 碳化硅SiC陶瓷的烧结工艺简述 佳日丰泰

    碳化硅陶瓷材料具有高温强度大,高温抗氧化性强,耐磨损性能好,热稳定性,热彭胀系数小,热导率大,硬度高,抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。在汽车、机械化工、 

  • 功率器件工艺材料双雄并起:SiC和GaN基础器件与非网

    碳化硅的结构特性及优缺点. 碳化硅(SiC)俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化 

  • 碳化硅_百度百科

    碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料。例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或 

  • SiC 颗粒化学镀铜工艺研究 中国材料进展

    结果表明: 取消了活化工艺后, 在碳化硅表面仍然得到了较好的铜包覆层。 关键词: 碳化硅 化学镀铜 活化工艺. 中图分类号: TB333摇摇文献标识码: A摇摇文章编号: 

  • Untitled

    过去几年来,基于碳化硅(SiC)的功率半导体解决方案的使用大幅增长, 碳化硅器件能够很好地应对上述所有市场挑战。 硅产品具备相同的可靠性和工艺稳定性。

  • 碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷烧结工艺_粉体技术_粉体圈

    碳化硅陶瓷材料具有高温强度大、高温抗氧化性强、耐磨损性能好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,在汽车、机械 

  • 碳化硅罐梭式窑生产工艺黄冈市中基窑炉有限公司

    您的位置: 首页 > 碳化硅罐梭式窑生产工艺. 产品. 粉末冶金类 · 炼钢海绵铁类 · 钒钛磁铁矿海绵铁类 · 红土镍矿海绵铁隧道窑 · 碳化硅罐梭式窑生产工艺 · 直接还原 

  • 中文 个人主页

    研究领域. 碳化硅器件工艺制造及其可靠性测试分析 2 ) 高压碳化硅器件高温氧化工艺技术研究, 主持, 院级, ( 3 ) 碳化硅高能高温离子注入关键 

  • 碳化硅晶体产业化项目启动 量产后可在多领域摆脱进口依赖能源

    2017年5月24日 碳化硅衬底片是典型的技术密集型和资金密集型产业,高良品率、高稳定性的长晶工艺技术是其核心。"中国兵器工业集团科学家魏化震表示, 

  • 功率器件工艺材料双雄并起:SiC和GaN基础器件与非网

    碳化硅的结构特性及优缺点. 碳化硅(SiC)俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化 

  • β/α复合碳化硅技术陶瓷的制备工艺与性能研究《西安科技大学》2015

    【摘要】:碳化硅陶瓷具有硬度高、耐高温、耐腐蚀、抗氧化性能强、抗热震性佳、热稳定性强、热膨胀系数低以及导热系数高等优点,一直是材料学研究热点之一。本文在前 

  • 研究人员发现低成本生产SiC的工艺 电子工程专辑

    2017年9月28日 为了降低SiC的制造成本,美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺,并搭配TI XFab实现低成本的SiC功率MOSFET 碳化 

  • 碳化硅_百度百科

    碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料。例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或 

  • 碳化硅 STMicroelectronics 意法半导体

    Silicon Carbide. Silicon Carbide (SiC) is a wide bandgap material. Wide bandgap technologies have many advantages compared to Silicon. Operating 

  • SiC机械密封环表面微织构激光加工工艺 江苏大学

    对碳化硅机械密封试样端面进行激光表面微织构的加工工艺试验研究, 和扫描速度等激光加工工艺参数对微凹腔和微凹槽织构的几何形貌参数与加工质量的影响,结.

  • SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌

    完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制;. ▷ 全生产流程可控, 

  • 碳化硅 STMicroelectronics

    随着市场竞争愈演愈烈,基础材料的成本不断降低,碳化硅的供应链变得越来越稳健。意法半导体一直在努力改善材料和工艺质量。随着材料和基于SiC技术的产品 变 

  • 微电子所在大容量碳化硅电力电子产品研发及产业化领域取得显著进展

    2018年1月24日 在微电子所的技术支持和协助下,株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6英寸碳化硅(SiC)芯片生产线顺利完成技术调试,厂务、动力、工艺、 

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