250TPH河卵石机制砂生产线
由于当地天然砂石供应不足，该杭州客户针对市场上对高品质机制砂的需求，看准当地河卵石储量丰富在的巨大商机
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里"奋力"生长。 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。".
2017年8月10日 硅与碳的合成物是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。 碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣 幸运的是,生产中使用渗氮工艺可使造成这些接口问题的缺陷大大降低。
2017年12月22日 时代电气半导体事业部SiC芯片线已于12月份完成全部工艺能力调试。 一系列高难度、高危险的任务,为SiC工艺设备提供源源不断、稳定可靠的"
2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,碳化硅（SiC）单晶在这100台设备里"奋力"生长。 单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 减薄、切割、磨抛等关键工艺装备与工艺整合研究,为SiC器件制造整线装备的
2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件
2017年10月26日 近日,863计划先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟.
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 材料划裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。
2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,碳化硅（SiC）单晶在这100台设备里"奋力"生长。 单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
2018年6月6日 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里" 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
工艺说明. 宁夏是亚洲的碳化硅优质原材料的主要产区之一,凭借这一得天独厚的优势,结合先进的配方与生产技术,我们掌控了原材料采购、粉体制造、压制成型及
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里"奋力"生长。 光刻胶是整个光刻工艺的重要部分,也是国际上技术门槛的微电子
宁波密克斯新材料科技有限公司专业生产无压烧结碳化硅陶瓷材料。 公司创办人陈 我们的生产工艺全球。两种材料都 生产所需的关键设备全部从欧美进口,包括大型高温真空烧结炉,全自动机械压机,等静压机,数控磨床等。 我们竭诚为您
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制；. ▷ 全生产流程可控,
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 减薄、切割、磨抛等关键工艺装备与工艺整合研究,为SiC器件制造整线装备的
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围 高温制备SiC冶炼块的热工设备是专用的碳化硅电炉,其结构由炉底、
2018年7月2日 第三代半导体材料有氮化镓（GaN）,金刚石（也叫钻石）,碳化硅（SiC,也叫 实现以上工艺的设备有,氧化炉、光刻机、显影机、刻蚀机、镀膜机、注入
2018年7月2日 第三代半导体材料有氮化镓（GaN）,金刚石（也叫钻石）,碳化硅（SiC,也叫 实现以上工艺的设备有,氧化炉、光刻机、显影机、刻蚀机、镀膜机、注入
公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果,集技术、管理、市场和 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会会员单位 中关村国家自主创新 自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术：针对超硬的碳化硅,选取适当
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里"奋力"生长。 光刻胶是整个光刻工艺的重要部分,也是国际上技术门槛的微电子
高刚性研磨盘是对蓝宝石、碳化硅等难磨材料进行研磨的设备。 CMP装置. CMP设备. CMP是在IC 制造工程中晶圆表面平坦化工艺之一环,使用化学研磨剂、研磨垫
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
碳/碳化硅是一种复合材料,其将碳纤维结合在陶瓷基料中,并将材料的物理特性发挥 形状接近几何公差的结构部件 高温应用部件 化学工艺设备用部件 航空航天
碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率 随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在
2018年1月15日 近日,中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件,
我公司不仅仅源于过硬的产品和的解决方案设计，还必须拥有周到完善的售前、售后技术服务。因此，我们建设了近百人的技术工程师团队，解决从项目咨询、现场勘察、样品分析到方案设计、安装调试、指导维护等生产线建设项目过程中的系列问题，确保各个环节与客户对接到位，及时解决客户所需
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