250TPH河卵石机制砂生产线
由于当地天然砂石供应不足,该杭州客户针对市场上对高品质机制砂的需求,看准当地河卵石储量丰富在的巨大商机
2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX OTCQX:
虽然这对全球的SiC 功率器件设备制造商来. 说都是好消息, 这种工艺流程大约在10 年前首先由Zühlke. 提出,随后一家 如碳化硅、硅、锗及砷化镓等材料的切割。
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
2011年6月25日 添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。 碳化硅衬底(美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底)的LED芯片电极是L型 
4月,瀚天天成正式接受商业化6英寸碳化硅外延晶片订单,成为中国提供商业 此项目我司为牵头单位) 和"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"。
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制;. ▷ 全生产流程可控, 
3 ) 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法, 发明, 2012, 第4 作者, . 6 ) 大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术研究, 参与, ,
2017年10月24日 近日,863计划先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。 通常,国际上把碳化硅(SiC)、氮化 
宁波密克斯新材料科技有限公司专业生产无压烧结碳化硅陶瓷材料。 公司创办人陈 我们的生产工艺全球。两种材料都 生产所需的关键设备全部从欧美进口,包括大型高温真空烧结炉,全自动机械压机,等静压机,数控磨床等。 我们竭诚为您 
2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅(SiC)生产线是国内首条6英寸SiC 余台工艺设备和90余项工艺调试,实现SiC 二极管和MOSFET芯片工艺流程 
2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件 
设备相关产品制造过程中不可或缺的设备 气相沉积碳化硅产品(CVDSiC). ○ ○ ○ 在半导体制造中,它被用于除去晶圆在图案工艺处理过程中形成的薄膜。
碳化硅涂层石墨材料. 应用于 的材料,我们成为许多的原始设备制造商 半导体晶片. 碳化硅(SiC). Si. 单晶提拉. (CZ工艺). 衬底晶片. 半导体晶片. 硅(Si).
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制;. ▷ 全生产流程可控, 
2017年12月22日 时代电气半导体事业部SiC芯片线已于12月份完成全部工艺能力调试。 一系列高难度、高危险的任务,为SiC工艺设备提供源源不断、稳定可靠的" 
为满足碳化硅材料的磨削要求,根据碳化硅材料的性能,研究了磨削工艺,并针对磨削中出现的技术难题,采取了油石在线修整的磨削工艺措施试验结果表明使用树脂结合 
2015年3月16日 电二所,未来一年,布乐琴科博士将高纯碳化硅粉料合成工艺技术与中方技术 高纯SiC粉料合成设备调试方法突破,完成整套工艺技术消化吸收。
2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件 
2018年6月7日 中国电科二所事业部主任李斌说:"这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件 
2017年10月24日 近日,863计划先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。 通常,国际上把碳化硅(SiC)、氮化 
2017年10月24日 通常,国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为 大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。
2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX OTCQX:
碳化硅陶瓷材料具有高温强度大、高温抗氧化性强、耐磨损性能好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导 粉体圈专注为粉碎设备,粉体设备等厂家提供粉体 . 采用热压烧结工艺只能制备简单形状的SiC部件,而且一次热烧结过程所制备的产品数量很小, 
2018年1月31日 伴随着2017年12月初中车时代电气6英寸碳化硅(SiC)产业基地技术调试 余台工艺设备和90余项工艺调试,实现SiC 二极管和mosFET芯片工艺 
我公司不仅仅源于过硬的产品和的解决方案设计,还必须拥有周到完善的售前、售后技术服务。因此,我们建设了近百人的技术工程师团队,解决从项目咨询、现场勘察、样品分析到方案设计、安装调试、指导维护等生产线建设项目过程中的系列问题,确保各个环节与客户对接到位,及时解决客户所需
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